Лютецкая И.Г.

 Использование: при изготовлении микромеханических приборов и микроэлектронных устройств из сэндвич-структуры "SiC-AlN" на подложке. Сущность изобретения: способ предусматривает плазмохимическое вытравливание с использованием маскирующего покрытия участков пленки SiC и последующее удаление участков слоя AlN для освобождения подвижных элементов целевого изделия. Все операции осуществляют в...