Белякова Е.И.

  Использование: в полупроводниковой технике при создании запираемых и комбинированно-выключаемых тиристоров, а также биполярных транзисторов. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе высокопроводящие участки сформированы внутри базового слоя регулярно на глубине не менее ширины области объемного заряда эмиттерного перехода и толщиной не более разности между расстоянием от поверхн...

 Использование: в технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, а именно при изготовлении мощных быстродействующих реверсивно включаемых динисторов. Сущность изобретения: в способе изготовления силовой многослойной полупроводниковой структуры, заключающемся в создании диффузией или имплантацией на поверхности пластины заданного распределения легирующей примеси, последующим сра...

 Использование: технология изготовления полупроводниковых структур, для изготовления приборов сильноточной электроники и микроэлектроники методом прямого сращивания. Сущность изобретения: способ изготовления кремниевых структур, заключается в полировке пластин, их гидрофилизации, обработке пластин в растворе плавиковой кислоты в деионизованной воде, соединении пластин отполированными сторо...

 Использование: технология изготовления полупроводниковых структур, изготовление кремниевых структур, содержащих р-слой кремния над и под границей раздела, при создании приборов сильноточной электроники и микроэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления кремниевых структур включает полировку поверхности пластин, создание на этой поверхности канавок глубиной не менее 0,3 мкм и ра...