МАЛЮТЕНКО ВЛАДИМИР КОНСТАНТИНОВИЧ

  (I I! 654662 ОП ИСАНИ Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 25.07.77 (21) 2512319/23-05 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.03.79. Бюллетень № 12 (45) Дата опубликования описания 30 03.79 (51) М. Кл.- С 09G 1/02 Государственный комитет (53) УДК, 621.921 (0...

  О П И С А Н И Е „, уфдв ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 03.05.78 (21) 2639851/18-25 с присоединением заявки Ме (23) Приоритет (43) Опубликовано 07.01.81. Бюллетень Ме 1 (45) Дата опубликования описания 07.01.81 (51) М,клз G 01 R 31/26 Гасударственный комитет СССР (53) УДК 621.3...

  ОПИСАНИЕ ИЗОБЬЕТЕ Н ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Соеетскмк Соцмалкстическнк Ресттубпкк и>826256 (6l ) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заиилено 16.08.79 (2l ) 2809165/18-21 (53)M. Кл. G 01 R 33/00 с присоединением заявки М (23) Приоритет Веуйеротеенеьй комитет СССР ао левам изобретений и открытий ОпУбликовано 30.04 81. Бюллетень Рй 16 Дата опубликования оаисания 30...

  К. Ю. Гуга, 8. Ю. Манюшите, 8. К. Малютенко и А. П. Сащук 72) Авторы изобретения Ордена Трудового Красного Знамени институт физики полупроводников АН Литовской CCP и Институт полупроводников АН Украинской CCP (Vl ) Заявители (54) МАГНИТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ПРИБОР Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике и может быть использовано в измерительной технике и автоматик...

  С. С. Болгов, В. К. Малютенко, А. П. Медвидь- и-З. И..Пипа, с l . Рижский ордена Трудового Красного Знамени политехническин-.. институт и Институт полупроводников АН Украинской ССР изобретения (73 ) Заявители (54) СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ СКОРОСТИ ПОВЕРХНОСТНОЙ ГЕНЕРАЦИИ вЂ” РЕКОМБИНАЦИИ! Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для кентроля элект...

  ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ, содержащий прямоугольную полупроводниковую пластину с электрическими контактами на двух противоположных боковых гранях, которая помещена в магнитное поле, направленное перпендикулярно плоскостям другйй пары боковых граней, о т л и ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повьппения ст-абильности интенсивности излучения по управляющим воздействиям ,...

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОДВИЖНОСТИ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА, Основанный на помещении образца в скресценные электрическое и магнитное поля таким образом, чтобы векторное произведение вектора напряженности электрического поля и вектора индукции магнитного поля было перпендику лярно поверхности образца, инжекции пакета неосновных носителей заряда путем освещения поверхности образца и...

  ИСТОЧНИК ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ по авт. св. № 1023676, отличающийся тем, что, с целью повьппения термостабильности мощности интегрального излучения в рабочем диапазоне температур, он содержит оптический фильтр коротковолнового излучения, а его активный элемент выполнен из полупроводника с положительным температурным коэффициентом ширины запрещенной зоны. (Ю 01) СОЮЗ СОВЕ...

  1. Способ определения подвижности неосновных носителей заряда, основанный на приложении к полупровода1иковому образцу электрического поля, о тличающийся TeMj что, с целью повышения точности определения подвижности в полупроводника:с с малой диффузионной длиной в области смешанной проводимости и упрощения способа, образец помещают в магнитное поле так что векторное произведение ве...

  СОЮЗ СОВЕТСНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И OTHPbfTHA (21) 3751530/24-10 (22) 01.06.84 (46) 30.11.85. Бюл. N - 44 (71) Институт полупроводников йН УССР (72) С. С. Болгов, В. В. Вайнберг, Л. И. Зарубин, В. К. Малютенко и Е. И. Яблоновский (53) 536.531(088.8) (56) Заявка Франции...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК „„SU„„.I 213510 A ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ. э 1 ам Ц= 1 зк или — Ч УК Ч от< где 5 Э— 8— Р Н "к— 9 отав Y.x К Т ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3736657/24-25 (22) 03.05.84 (46) 23.02.86. Бюл. М- 7 (71) Институт полупроводников АН УССР (72) В.К.Иалютенко, 10.M...

  Изобретение относится к приборостроению и позволяет повысить помехоустойчивость к изменениям внешнего магнитного поля при измерении гидростатического давления. Для этого в качестве регистрируемого параметра используют величину насыщенного сигнала отрицательной люминесценции как функции изменения ширины запрещенной зоны полупроводникового материала под действием всестороннего сжати...

  Изобретение относится к измерительной технике и позволяет повысить точность измерения температуры. Способ определения температуры заключается в том, что полупроводниковый термочувствительный элемент в режиме контактного истощения эксклюзией помещают в неоднородное электрическое поле с градиентом напряженности, перпендикулярным линиям тока и монотонновозрастающим к грани, приводимо...

  Изобретение относится к измерительной технике. Целью изобретения является повышение точности и помехозащищенности за счет использования зависимости частоты колебания фототока от координаты светящегося объекта в полупроводниковой пластине. Для определения положения светящегося объекта в полупроводниковой пластине 1 с электрическими контактами 4, 5 формируют градиентное электрическ...

  Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к дефлекторам ИК-излучения, и может быть использовано в системах оптической связи, оптической локации, в научных исследованиях. Цель - повышение быстродействия и расширение угла сканирования. Полупроводниковая пластина в виде части кольца снабжена электрическими контактами, расположенными попарно один против другого. Контакты...

  Изобретение относится к холодильной технике, а именно к радиационным охладителям , и может быть использовано в системах , плохо защищенных от электромагнитных помех. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей путем оптического управления процессом охлаждения. Для этого охладитель снабжен источником 1 излучения с энергией квантов ft ш , а активный полупроводниковый...