БАЛТЯНСКИЙ СЕМА ШЛЕМОВИЧ

  Союз Советскик Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-sy (51)И. Кл, (22j Заявлено 270477 (2I) 2481482/18-25 G 01 P 31/26 G 01 Н 27/26 с присоединением заявки № Государственный комитет СССР по делам изобретений и открелтнй (25 j Г(риоритет (53) УДК621 882 .2 (088„8) (-)публиковвно 2 50 4.79, Б.оллетень ¹ 15 Дата опубликования описания 50 4.79 (72) Авторы из...

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ н» 808978 Союз Советскин Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. саид-ву— р )м. к . (22) Заявлено 24. 04. 79 (21) 2756537/18-21 с присоединением заявки ¹â€” (23) Приоритет— 6 01 и 27/02 Государственный комитет СССР но делам изобретений н открытий Опубликовано 280281. Бюллетень ЙЯ 8 Дата опубликования описания...

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ . СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик 963025 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 27.03.81 (21) 3265593/18 — 24 с присоедийением заявки М (23) Приоритет Опубликовано 30.09 82 Бюллетень ¹ 36 Дата опубликования описания 30.09.82 (51)NL. Кл. G ЖС5/08 фтаударстаиней каетет СССР ю делам ааебретеив» N аткрытк...

  „.SU„„1 А СОЮЗ СОВЕ СНИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ HOMHTET СССР Il0 ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ .:®Ц;;. q f: Х ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н ABTOPGHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3379431/18-21 .(22) 06.01.82 (46 ) 15.09.83. .Бюл. У 34 (72) С. Ш. Балтянский, A. A. Богородицкий, В. В. Зверева, A. A. Мельников, Ю. H. Михеев, Н. В. Морозов; В. Ф. Рыжов, В. И. Рябинин, С....

  УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ МДП-СТРУКТУР, содержащее генератор синусоидального напряжения и источник смещения, подключённые соответственно к первому и второму входам первого сумматора, выход которого соединен с первой клеммой , для--подключения испытуемой структуры , вторая клеьфла для подключения испытуемой структуры соединена с входсм усилителя, между входом и выходом к...

  Изобретение относится к электронной технике. Может быть использовано для проведения контроля качества и исследования параметров полупроводниковых и МДП- структур в процессе производства интегральных схем на их основе. Целью изобретения является повышение точности измерения. Достигается за счет устранения влияния проводимости подложки на результат компенсации емкости диэлектрика,...

  Использование: электронная техника, в частности контроль качества и исследование параметров МДП-структур в процессе производства интегральных схем. Сущность изобретения: расширение функциональных возможностей и повышение быстродействия путем адаптации скорости роста напряжения на МДП-структуре к величине этого напряжения за счет введения блока управления , двух пиковых детекторов...