Мартынович Е.Ф.

 (19)SU(11)658638(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ОКГ Изобретение относится к области квантовой электроники, к активным элементам оптических квантовых устройств и может быть использовано при создании перестраиваемых по частоте оптич...

 Способ спектральной апконверсии оптического излучения, включающий облучение активного элемента, выполненного из люминесцентного материала, конвертируемым и вспомогательным излучениями, отличающийся тем, что, с целью снижения порога чувствительности и расширения динамического диапазона, активный элемент непрерывно перемещают и пространственно разделяют потоки конвертируемого и вспомогатель...

 1. Способ получения лазерного материала на основе монокристаллов LiF, включающий создание в них центров путем облучения монокристаллов, отличающийся тем, что, с целью смещения спектров генераций каждого типа центров, при одновременном изменении отношений коэффициентов оптического поглощения в максимумах центров в интервале от 0,01 до 1,03, облучают монокристаллы -излучением с экспозиционн...

 1. Способ приготовления лазерных материалов на основе монокристаллов щелочных фторидов, содержащих центры окраски, включающий выращивание монокристалла из расплава соли щелочного фторида и создание в монокристалле рабочих центров окраски путем его облучения ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью устранения сопутствующих центров окраски, поглощающих и испускающих излучение...

 (19)SU(11)986268(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ЛАЗЕРА (ЕГО ВАРИАНТЫ), СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, ЛАЗЕР Изобретение относится к области квантовой электроники, а более конкретно к лазерам на центрах окраски в кристалл...

 (19)SU(11)1018573(13)A1(51)  МПК 6    H01S3/16(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 27.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ЛАЗЕРНАЯ СРЕДА ДЛЯ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ И ПАССИВНЫХ ЗАТВОРОВ Изобретение относится к квантовой элетронике, к лазерным активным и пассивным элементам на центрах окраски. Оно может быть использовано для...

 Способ получения лазерных активных сред на центрах окраски на основе монокристаллов путем их облучения ионизирующим излучением, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона лазерных активных сред, облучают нейтронным излучением дозой от 3 1017 до 1,2 1019 нейтрон/см2 монокристалл окиси алюминия.

 Способ получения лазерной среды на основе кристаллов Al2O3 с центрами окраски путем облучения выращенного кристалла потоком быстрых нейтронов с последующей дезактивацией, отличающийся тем, что, с целью увеличения концентрации центров окраски с полосой оптического поглощения в области длин волн 0,74 - 0,95 мкм и снижения оптических потерь в спектральной области генерации 0,92 - 1,15 мкм об...

 Изобретение относится к области квантовой электроники, к лазерам на центрах окраски. Цель изобретения - снижение порога накачки и повышение оптической устойчивости центров окраски. Активная лазерная среда представляет собой монокристалл фторида лития, содержащий F2 - центры. Концентрация F2 - центров в среде в единицах коэффициента оптического поглощения равна 100-700 см-1. Для получения...

 Изобретение относится к области квантовой электроники, к лазерам на центрах окраски в кристаллах. Цель изобретения - повышение стабильности концентрации F2 - центров. Кристалл фторида лития облучают сильноточными импульсами электронов с длительностью 10 нс. Энергию электронов устанавливают 200 кэВ, ток в пучке электронов . Облучение проводят при комнатной температуре. За 50 с кристалл обл...

  Изобретение относится к термолюминесцентной дозиметрии. Цель изобретения - расширение диапазона измеряемых доз рентгеновского и - излучений в область малых доз до 109 Кл/кг и повышение чувствительности. Цель достигается использованием иттрийалюминиевого граната, активированного окисью самария или окисного церия в количестве 0,5 - 5 мас.%. Возможность использования указанного материала с...

  Изобретение относится к квантовой электронике, к лазерным активным средам на основе монокристаллов с центрами окраски (ЦО). Цель изобретения - снижение порога генерации F+3 -центров при одновременном повышении оптической устойчивости F2 -центров. Для этого лазерная активная среда на основе монокристалла LiF(F2F+3) содержит концентрации рабочих центров, соответствующие коэффициентам погло...

 Способ изготовления лазерных материалов на основе кристалла Al2O3 с центрами окраски, включающий облучение кристалла быстрыми нуклонами и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации рабочих центров окраски, дополнительно облучают кристалл лазерным излучением с длиной волны 0,4 - 0,63 мкм и плотностью мощности 3 - 280 МВт/см2.

 Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам приготовления лазерных сред на основе монокристаллов с центрами окраски. Цель изобретения - снижение порога генерации. Кристалл фтористого лития облучают серией сильноточных импульсов электронов с длительностью каждого импульса 5 нс. Энергию электронов устанавливают 300 кэВ. Облучение проводят при комнатной температуре. За...

 Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к твердотельным лазерным средам на центрах окраски. Целью изобретения является повышение концентрации рабочих центров. В неорганическом соединении в виде оптической керамики создается большее количество рабочих лазерных центров (F2) и меньшее паразитных (F+3) обуславливающих оптические потери, по сравнению с монокристаллическим вариа...

 Способ обработки оксида алюминия для электронно-оптического излучателя, включающий нейтронное облучение и последующую термообработку, отличающийся тем, что, с целью расширения спектра малоинерционного излучения при длительности импульсов свечения под действием электронного облучения < 5 нс, флюенс нейтронов выбирают в интервале 1 1019 - 1 1020 н/см2, а термообработку проводят при 130...

 Изобретение относится к области квантовой электроники, к методам получения кристаллических лазерных сред. Цель изобретения - снижение оптических потерь при одновременном увеличении концентрации центров 0,68 мкм. Способ приготовления лазерной среды включает облучение кристалла быстрыми нуклонами или ускоренными ионами, термообработку и обработку оптическим излучением. Кристалл облучают во...

 1. Малоинерционный катодолюминесцентный материал для твердотельного электронно-оптического излучателя на основе оксида металла, отличающийся тем, что, с целью повышения интенсивности свечения в области 155 - 250 нм, он состоит из оксида магния или бериллия, или алюминия, или алюминия и иттрия с содержанием оптически активных примесей в количестве не более 1 105 мас.%. 2. Материал по п.1,...

 Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к способам получения НЗ-центров окраски. Цель изобретения - повышение концентрации НЗ-центров при одновременном снижении концентрации паразитных центров поглощения в полосе люминесценции НЗ. Способ включает облучение алмаза с однородным распределением по объему А-агрегатов и с их концентрацией не менее 1018 см-3 ионизирующим излучени...

  Использование: в технике преобразования ультракоротких световых импульсов. Сущность: устройство включает оптический элемент, выполненный из прозрачного анизотропного материала в форме призмы или из монокристалла нитрата натрия. В случае, когда оптический элемент выполнен в форме призмы, устройство дополнительно содержит механизм перемещения оптического элемента. 2 ил. Изобретение относит...