ТАИРОВ ЮРИЙ МИХАЙЛОВИЧ

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. саид-ву Союз Советских Социалистических Реслублнк Wl ГЕ Ф(вайд 11чфу ((.(, 1 (51)М. Кл.2 (л 06 К 11/00 Ф (22) Заявлейо 030677 (21) 2491679/18-24 с присоединением заявки Йо Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет Опубликовано 050579. Бюллетень Йо 17 (53) УДК. 681....

  Изобретение относится к неразрушающим методам контроля технологических процессов. Повьппается точность и расширяется диапазон измеряемых удельных сопротивлений. Исследуемый материал помещают в СВЧ-резонатор, охлаждают до т-ры 1,4-4,2 К и возбуждают в СВЧ-резонаторе электромагн. колебания. Затем снимают зависимость поглощения СВЧ-мощности от величины приложенного постоянного магн....

  Изобретение относится к оборудованию для гальванотехники и может быть использовано в промышленных автоматизированных гальванических линиях. Цель изобретения - повышение точности контроля средней толщины гальванических покрытий. Система содержит гальваническую ванну 1 с анодом А и катодом К, датчик 2 толщины покрытия, который состоит из трех электродов: измерительного 3, вспомогате...

  Изобретение относится к твердотельной электронике, конкретно к технологии получения монокристаллических твердых растворов на основе карбида кремния. Материал на основе эпитаксиальных слоев гетеровалентного твердого раствора имеет состав (SiC)i-x(Nbc)x, где О Х {. Ширина запрещенной зоны меньше, чем у карбида кремния. Материал имеет радиационную и химическую стойкость и стабильнос...

  Изобретение относится к технике определения температуры в высокотемпературных печах и позволяет повысить точность определения объемного распределения температуры в электронагревателях из карбида кремния. Способ контроля заключается в размещении образца, в качестве которого используют часть электронагревателя на основе пористого поликристаллического карбида кремния, от которого по...

  Использование: твердотельная электроника . Полупроводниковый материал на основе эпитаксиальных слоев твердого раствора имеет состав: (SiC)t-x(ZrC)x, где О X 1. Материал получают путем непосредственного высокотемпературного контакта кристаллических пластин SIC и 2гС. Материал может работать в химически агрессивных средах. Достигнуто уменьшение ширины запрещенной зоны. Возможно упр...