Кравецкий Д.Я.

 Изобретение относится к выращиванию кристаллов заданной формы из расплава, в частности кристаллов тугоплавких соединений, например лейкосапфира, рубина, алюмоториевого граната и т.п., которые могут быть использованы в приборостроении, электронной и химической промышленности. Способ выращивания профилированных кристаллов тугоплавких соединений из расплава на торце формообразователя осущест...