ГАШТОЛЬД В.И.

  ГЕТТЕР ДЛЯ УМЕНЬШЕНИЯ УРОВНЯ ШУШВ кремниевых полупроводниковых устройств пленарного типа на основе нестихиометрических кремниевых соединений, отличающийся тем, что, с целью повьшения воспроизводимости и эффективности геттера используют соединения типаSIRX 1где R - металлоиды IV, V и VI групп периодической системы, преимущественно углерод или азот; значение X изменяют от 0,01 до 0,...