PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Толстых Б.Л.

Изобретатель Толстых Б.Л. является автором следующих патентов:

Способ изготовления свч-транзисторных структур

Способ изготовления свч-транзисторных структур

  (19) SU (11) 669995 А1 (51) 5 H01L21 22 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ f (21) 2305357/25 (22) 30.12.75 (46) 38.10.93 Бюл йя 39-40 (72) Иванов ВД; Глущенко В.Н.; Толстых БЛ. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ-ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР 669995 Изобретение относится к м...

669995

Способ ионно-химического травления двуокиси и нитрида кремния

Способ ионно-химического травления двуокиси и нитрида кремния

 (19)SU(11)749293(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/306(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИОННО-ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ДВУОКИСИ И НИТРИДА КРЕМНИЯ Изобретение относится к полупроводниковой микроэлектронике, в частности к технологии и производству интегральных микросхем повышенной с...

749293