СОНОВ Г.В.
Изобретатель СОНОВ Г.В. является автором следующих патентов:

Способ изготовления больших интегральных схем на мдп- транзисторах
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ НА МДП-ТРАНЗИСТО- РАХ, включающий подзатаорное окисление кремниевой подложки, нанесение слоя нитрида кремния, формирование защитной маски, ионное легирование неактивных областей, стравливаниес них нитрида кремния, локальное окисление этих областей, стравливание нитрида кремния с активных облас- •тей, -нанесение слоя поликремния, фрр" м...
670019