Гальцев В.П.

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕЙИЯ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЩОМСГВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) x mTOPei 671601 Al (51) 2 (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ р - в -ПЕРЕХОДОВ (57) 671601 3 4 Изобретение относится к микроэлект- Поставленная цельдостигается тем,что ронике и предназначено для использования после создания диффузионной области ее при изг...

  (19) SU (11) 766423 А1 (51) 5 Н 01 ЬИ 265 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ) ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ, СВИДЕТЕЛЬСТВУ {21) 2739960/25 {22) 33.03.79 {46) 30.1093 Бюл. Йа 39-40 {72) Бреус Н.В„. Гапьцев В.П„Глущенко В.Н. {54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЧ ТРАНЗИСТОРНЫК СТРУКТУР 766423 Изобретение относ...

 Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий формирование на полупроводниковой подложке активных областей, пассивацию подложки слоем диэлектрика, вскрытие контактных окон, нанесение слоя алюминия вакуумно-термическим напылением, формирование маскирующего покрытия, фотогравировку разводки, окисление торцовых поверхностей разводки и удаление маскирующего покрытия, отличающийся...

 Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения полупроводниковых структур с высокой равномерностью степени легирования диффузионных слоев. Целью изобретения является достижение стабильности источника диффузионного легирования бором в широком диапазоне температур. На пластины нитрида бора наносят слой двуокиси кремния толщиной 0,5 - 1,5 мк...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении биполярных приборов и интегральных микросхем на их основе. Цель изобретения - увеличение критического тока коллектора. После формирования низколегированной базовой области одновременно с эмиттерным окном вскрывают окна под контактную базовую область. Данная область формируется одновременно с высоколегирова...

 Изобретение относится к микроэлектронике, к биполярным транзисторам. Цель изобретения - повышение качества изделий за счет повышения пробивного напряжения и уменьшения обратного тока p-n-перехода между активными областями и подложкой. Периферийные области, образующие p-n-переходы с подложкой и между собой, расположены на расстоянии от активных областей, превышающем максимальную ширину объ...