Антонова И.В.

 Использование: полупроводниковая технология, создание структур кремний-на-изоляторе для производства современных сверхбольших интегральных схем и других изделий микроэлектроники. Сущность изобретения: способ изготовления структуры кремний-на-изоляторе состоит в имплантации водорода в интервале доз 2,51016 - 51016 см-2 в первую пластину кремния через тонкий защитный слой окисла толщиной 20...