Загоруйко Ю.А.
Изобретатель Загоруйко Ю.А. является автором следующих патентов:
Способ получения полупроводникового пьезопреобразователя
СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ CCCP) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2526880/25 (22) 26.09.77 (46) 15.1293 Ьол Na 45-46 (72} Тиман БЛ„Загоруйко Ю.А„Файнер МШ (в) Я (и) б7б121 А1 (51)5 негь4г гг ногьгщз 2 (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПЬЕЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ . (57) б76121 может быть ис...
676121Способ неразрушающего контроля процесса диффузионного отжига полупроводников
Изобретение можно испопьзовать в сверхпро- . водящих устройствах для подвеса подвижных элементов. (Делью изобетения является ловышенне ради|альной жесткости подвеса Между двумя согласно включенными сверхпроводящими катушками размещен кольцевой сверхпроводниковый подвижный элемент. После запитки хатушек током с помощью нагревателя разрушают гаерхпроводимоаь в арретированном подвижн...
728593Способ получения пьезополупроводникового материала на основе соединений а @ в @
союз совктских социАлистн кски г, Ркспувлие гос дмствкннок плткитнок вкдомство ссср (191 S3J (ц 769836 А1 (51) $ ÄßВЗЗ 94 ЗОВ Х9 46 ф1) 2648232/26 (22) 1897.78 (48) 35.1293 Бал. Na 4546 (72) Загоруйко ЮА; Тиман БЛ„Файнер М.Ш, (54) О)ОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЬЯОПОЛУПРОВОДНИКОВСГО MATEPklAJlA HA ОСНОВЕ ll Vl СОЕДИНЕНИЙ А В (57) 76./836 (! з; б,),- „-; э }» и с )т},. с! IT }; х с : с...
769836Способ получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка
Изобретение относится к лазерной технике, в частности, к способам снижения коэффициента поглощения проходных оптических элементов СО -лазеров, которые изготавливаются из кристаллов селенида цинка, и может найти применение в химической промышленности. Цель изобретения снижение коэффициента оптического поглощения излучения ИК-диапазона Для этого кристаллы последовательно перемещают...
1625068Способ создания контактных слоев на поверхности оптических полупроводниковых кристаллов типа aiibvi
Изобретение относится к электронной, лазерной и криогенной технике, использующих полупроводниковые кристаллы AIIBVI . С целью получения однородного по толщине, механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса кристаллы обезжиривают в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25С, наносят на нее слой серебра из смеси...
1725700