PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Загоруйко Ю.А.

Изобретатель Загоруйко Ю.А. является автором следующих патентов:

Способ получения полупроводникового пьезопреобразователя

Способ получения полупроводникового пьезопреобразователя

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ CCCP) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2526880/25 (22) 26.09.77 (46) 15.1293 Ьол Na 45-46 (72} Тиман БЛ„Загоруйко Ю.А„Файнер МШ (в) Я (и) б7б121 А1 (51)5 негь4г гг ногьгщз 2 (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПЬЕЗОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ . (57) б76121 может быть ис...

676121

Способ неразрушающего контроля процесса диффузионного отжига полупроводников

Способ неразрушающего контроля процесса диффузионного отжига полупроводников

  Изобретение можно испопьзовать в сверхпро- . водящих устройствах для подвеса подвижных элементов. (Делью изобетения является ловышенне ради|альной жесткости подвеса Между двумя согласно включенными сверхпроводящими катушками размещен кольцевой сверхпроводниковый подвижный элемент. После запитки хатушек током с помощью нагревателя разрушают гаерхпроводимоаь в арретированном подвижн...

728593

Способ получения пьезополупроводникового материала на основе соединений а @ в @

Способ получения пьезополупроводникового материала на основе соединений а @ в @

  союз совктских социАлистн кски г, Ркспувлие гос дмствкннок плткитнок вкдомство ссср (191 S3J (ц 769836 А1 (51) $ ÄßВЗЗ 94 ЗОВ Х9 46 ф1) 2648232/26 (22) 1897.78 (48) 35.1293 Бал. Na 4546 (72) Загоруйко ЮА; Тиман БЛ„Файнер М.Ш, (54) О)ОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЬЯОПОЛУПРОВОДНИКОВСГО MATEPklAJlA HA ОСНОВЕ ll Vl СОЕДИНЕНИЙ А В (57) 76./836 (! з; б,),- „-; э }» и с )т},. с! IT }; х с : с...

769836

Способ получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка

Способ получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка

  Изобретение относится к лазерной технике, в частности, к способам снижения коэффициента поглощения проходных оптических элементов СО -лазеров, которые изготавливаются из кристаллов селенида цинка, и может найти применение в химической промышленности. Цель изобретения снижение коэффициента оптического поглощения излучения ИК-диапазона Для этого кристаллы последовательно перемещают...

1625068

Способ создания контактных слоев на поверхности оптических полупроводниковых кристаллов типа aiibvi

Способ создания контактных слоев на поверхности оптических полупроводниковых кристаллов типа aiibvi

 Изобретение относится к электронной, лазерной и криогенной технике, использующих полупроводниковые кристаллы AIIBVI . С целью получения однородного по толщине, механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса кристаллы обезжиривают в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25С, наносят на нее слой серебра из смеси...

1725700