Худайбергенов Г.Ж.

 Изобретение относится к технологии получения пленок аморфного кремния и может быть использовано в современной оптоэлектронике и интегральной оптике для создания тонкопленочных солнечных элементов и транзисторных матриц большой площади для жидкокристаллических дисплеев. Сущность изобретения заключается в том, что в способе нанесения пленки аморфного кремния путем осаждения на нагретую подл...

 Изобретение относится к технологии получения пленок аморфного кремния. Предложен способ получения пленок аморфного кремния, основанный на осаждении продуктов разложения силансодержащей газовой смеси на нагретую подложку. Разложение газовой смеси происходит в плазме ВЧЕ-разряда вне камеры осаждения с последующим формированием из продуктов разложения сверхзвуковых струй, истекающих в вакуум...