Кондратенко Т.Я.

 Использование: в электронной промышленности. Сущность изобретения: первый вариант изобретения характеризуется тем, что в выпрямительном диоде Шоттки омический контакт выполнен в виде монокристаллического цилиндра из металла с объемно-центрированной или гранецентрированной решеткой с гранями (111) или (100) и температурой плавления выше температуры плавления кремния, на внешней поверхности...

 Использование: в электронной технике, при конструировании и в технологии изготовления выпрямительных полупроводниковых диодов с p-n переходами. Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении всех вариантов изобретения, являются исключение краевого эффекта, увеличение напряжения пробоя, снижение уровня электротепловой и магнитотепловой деградации и повышение уровн...

 Использование: в электронной технике, при конструировании и в технологии изготовления лавинно-пролетных полупроводниковых диодов, в электронной промышленности, в радиоэлектронике в качестве активных элементов генераторов и усилителей СВЧ. Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении всех вариантов изобретения, являются подавление краевого эффекта, повышение мощ...

 Изобретение относится к электронной техникe, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых сверхвысокочастотных (СВЧ) диодов Ганна, и может быть использовано в электронной и радиоэлектронной промышленности. Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении всех вариантов изобретения, являются повышение выходной мощности СВЧ-колебаний и сн...

 Использование: в области электронной техники, в частности при конструировании и изготовлении биполярных полупроводниковых транзисторов, также может быть использовано в электронной промышленности в схемах усиления, генерации, преобразования электромагнитных колебаний и других. Сущность изобретения: в биполярном транзисторе вырожденный монокристаллический кремниевый n+-типа слой выращен в в...

 Использование: в области электронной техники, в частности при конструировании и изготовлении полупроводниковых кремниевых управляемых тиристоров многослойной структуры. Сущность изобретения: в тиристоре вырожденный монокристаллический кремниевый n+-типа слой выращен в виде полого цилиндра, на внутренней поверхности которого сформирован металлический катодный контакт в виде двух цилиндриче...

 Использование: изобретение относится к электронной технике, в частности к конструированию и технологии изготовления полевого транзистора с изолированным затвором, и может быть использовано в силовой промышленной электронике и электротехнике при производстве приборов управления токами большой величины. Сущность изобретения: вырожденный монокристаллический кремниевый n+типа слой стока полев...

 Изобретение относится к области электронной техники, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых светоизлучающих диодов - светодиодов, и может быть использовано в электронной и оптоэлектронной промышленности. Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении всех вариантов изобретения, являются повышение излучаемой мощности и снижение у...

 Изобретение относится к области электронной техники. Предложен полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом, содержащий монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+ типа слой, монокристаллический полупроводниковый n типа слой, монокристаллический полупроводниковый р типа слой, металлический контакт n типа слоя и металлический контакт р типа слоя. Согласно первому варианту...