Любушкин Е.Н.

 СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ САМОСОВМЕЩАЮЩИХСЯ ПЛАНАРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции маскирования подложки диэлектрической пленкой, вскрытия окон, наращивания поликристаллического кремния, легированного примесью противоположного типа проводимости подложке, формирования базовой области и контакта к ней из поликристаллического кремния, создания эмиттера и металлизацию, отличающийся тем, что, с...

 Способ изготовления полупроводниковых транзисторных структур, включающий создание коллектора, базы, травление в маскирующем диэлектрике эмиттерных окон, осаждение легированной поликристаллической пленки кремния, формирование из пленки мезы, внахлест маскирующей эмиттерное окно, создание эмиттерного p-n-перехода, формирование внутрисхемной разводки, отличающийся тем, что, с целью улучшения...

 Изобретение относится к воспроизведению магнитных сигналов звуковой частоты и может применяться для озвучивания различных полезных сигналов при совмещении работы кассетного устройства воспроизведения магнитных сигналов с аппаратурой, имеющей сродственное функциональное назначение. Сущность изобретения заключается в том, что в способе воспроизведения магнитных сигналов, включающем преобраз...

 Изобретение относится к технологии и оборудованию для получения эпитаксиальных структур кремния методом осаждения из газовой фазы. Технический результат - повышение качества эпитаксиальных структур за счет улучшения газопрочности защитного покрытия и повышения срока службы подложкодержателя. Сущность изобретения: способ заключается в одновременной термообработке всей поверхности подложкод...