Сигалов Э.Б.

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов и ИС. Сущность изобретения: устройство содержит реакционный блок, включающий кварцевый реактор с излучателем, корпус с подложкодержателем, перегрузочную камеру, включающую механизм перегрузки и шлюзовую камеру с уплотняющей крышкой, герметичный кожух, охлаждаемый экран,...

 Использование: для термического отжига пластин в различных газовых средах, осаждение диэлектрических слоев и эпитаксиальных слоев кремния в технологии производства полупроводников и микроэлектронике. Сущность изобретения: устройство содержит кварцевый реактор с внешним излучателем и подложкодержателем в виде вертикально установленной воронки с гнездом на верхнем торце для размещения пласт...

 Изобретение относится к технологии и оборудованию для получения эпитаксиальных структур кремния методом осаждения из газовой фазы. Технический результат - повышение качества эпитаксиальных структур за счет улучшения газопрочности защитного покрытия и повышения срока службы подложкодержателя. Сущность изобретения: способ заключается в одновременной термообработке всей поверхности подложкод...