АДОЛЬФ Е.М.

  СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА на подложке из полупроводниковых соединений А"-В^' п-типа путем нанесения слоя индия с последующей термообработкой полученной системы в кислородсодержащей среде, отличающийс я тем, что, с целью повышения механической прочности контакта, на слой индия наносят слой серебра или алюминия и термообработку проводят при температуре 190-220°С в...