АСАЛХАНОВ ЮЛИЙ ИННОКЕНТЬЕВИЧ
Изобретатель АСАЛХАНОВ ЮЛИЙ ИННОКЕНТЬЕВИЧ является автором следующих патентов:

Устройство для пространственной ориентации образцов в вакууме
ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОИЖОММ СВИДВТИЗЬСТВУ Еае3 Сееететтих Cî õ Рес ублвтк Н 05 К 13/02 Гввудвретввнный квмнтвт ссср нв двлам нзвбрвтвннй.н вткрмтнй Опубликовано 25.11.79. Бюллетень №43 Дата. опубликования описания 30.11.79 (53) УДК631.733.. 14 (088.8) (72) Авторы изобретения Ю. И. Асалханов и Х. Д. Ламажапов (?1) Заявитель Восточно-Сибирский технологический инстит...
699689
Способ измерения вакуума
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВАКУУМА путем измерения изменения сопротивления полупроводникового датчики, вызванного адсорбцией на поверхности его чувствительного элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности , в процессе измерения на поверхность чувствительного элемента полупроводникового датчика направляют пучок медленных электронов, и по величине полного тока в цепи ч...
1052899
Устройство для позиционирования образца в вакууме
Изобретение относится к электронной технике. Устройство для позиционирования образца в вакуу.ме содержит вакуумную ка меру с вводом движения с гибким уплотнительным элементом 1 (сильфоном), на котором закреплен стакан (С) 2 с узлом 3 позиционирования и установочным гнездом 4. В полости С 2 установлен термоэмиссионный нагреватель 6, размещенный на стержне 7 из термостойкого электр...
1406661
Устройство для вакуумного скола полупроводниковых монокристаллов
Изобретение относится к устройствам для обработки полупроводниковых материалов и может быть использовано при подготовке образцов полупроводниковых монокристаллов с атомарно-чистой поверхностью . Цель изобретения заключается в повышении надежности работы устройства. Для этого оно снабжено размещенным в вакуумной камере корпусом 1, в котором установлен держатель кристалла 2. выполн...
1701562
Способ контроля температуры
Изобретение относится к физической оптике и может быть использовано для измерения температуры поверхности пластин монокристаллов, в частности монокристаллического кремния. Целью изобретения является расширение диапазона измеряемых температур путем смещения его нижнего предела и повышение точности. Для этого на предварительно отполированную и очищенную от оксидных пленок и адсорби...
1717976
Электронная пушка для получения пучка медленных моноэнергетических электронов
Использование: изобретение относится к электронной оптике и может быть использовано для получения пучка медленных моноэнергетических электронов, в частности при измерении контактной разности потенциалов твердых тел по методу Андерсона Сущность изобретения: электронная пушка содержит катод 1, эмитирующий пучок медленных моноэнергетических электронов, электроды (Э) 10, 12, 13, 14,...
1748202
Способ определения времени установления равновесного состояния адсорбированного слоя молекул на поверхности полупроводниковых материалов
Использование: физическая оптика и может быть использовано для регистрации времени установления равновесного состояния адсорбированных молекул на поверхности полупроводниковых материалов. Сущность: для этого на поверхность исследуемого полупроводникового материала (ИПМ), помещенного в вакуум, направляют луч линейно поляризованного света (С) под углом на 1 -2° меньше главн...
1749782