ШАФЕР ВАЛЕРИЙ ИОСИФОВИЧ

  ои705391 Союз Советских Соцреалистических Республик К АВТОРСКОМУ СВИ ЕТЕЛЬСТВУ 1 (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 210777(21) 2511859/24 21 (51)М. Кл. G 01 R 31/28 с присоединением заявки Мо Государственный комитет СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет ОпубликованО 2512.79. Бюллетень М 47 Дата опубликования описания 2512.79 (53) УДК 621.3. 019,...

  УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ШЕРОХОВАТОСТИ ПОВЕРХНОСТИ, содержа щее источник когерентного излучения и объектив для фокуси-ровки падающего излучения, последовательно расположенные на пути отраженного от контролируемой поверхности излучения щелевую даафрагму, объектив фокусировки отраженного излучения и фотоприемник с регистрирующим блоком, систему сканирования, о т л и ч ц е е с я тем,...

  УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ПО ФОТООТВЕТУ, источник лазерного из чения, выход которого собдинен с периым входом блока сканирования , выход которого подключен к входу оптической системы, выход которой связан с попупроводтисовой структурой , выход которой соединен с входом усилителя, выход которого подключен к первому входу видеоконтрол1 ного блока, первьтй и...

  СПОСОБ ИДЕНТИФИКАЦИИ ДЕФЕКТОВ В ФОТОШАБЛОНАХ С ПОВТОРЯЮЩШ-ШСЯ ФРАШЕНТАМИ ИЗОБРАЖЕНИЙ, основанный на сканировании лазерным лучом изображения двух смежных фрагментов на фотошаблоне, ориентированных по направлению сканирования, формировании видеосигналов, по которым формируют растр совмещенного изображения первого и второго фрагментов в разных цветах, и фиксации местоположения дефек...

  Изобретение относится к контролю изделий электронной техники, в частности может быть использовано для выявления микросхем (МС) со скрытыми дефектами. Цель изобретения - сокращение времени контроля МС. Цель достигается тем, что до герметизации МС освещают всю поверхность полупроводникового кристалла. При этом происходит изменение выходного напряжения МС, на которую подано номинальн...