Белозубов Е.М.

 Изобретение относится к измерительной технике и позволяет повысить стойкость устр-ва к агрессивным средам, а также повысить его надежность при эксплуатации. Полупроводниковый кристалл 1 соединен с кольцом 2 из стекла посредством слоя 6 аморфного материала толщиной 0,5 - 5 мкм, нанесенного на изоляционный слой 5. Окна 8 обеспечивают электрический контакт кристалла 1 со слоем 6. При воздейс...

 Изобретение относится к измерительной технике и позволяет повысить чувствительность устройства. Преобразователь представляет собой монокристалл 1 кремния с мембраной 2, сформированной в нем способом анизотропного травления. В периферийных областях мембраны 2 расположены тензорезисторы R1-R4 образованные последовательным соединением резистивных полосок 3 и 4, размещенных внутри области, ог...

 Изобретение относится к измерительной технике, в частности, к интегральным преобразователям, предназначенным для использования в различных областях науки и техники, связанных с измерением давления. Целью изобретения является повышение точности измерения при воздействии нестационарной температуры измеряемой среды и повышение чувствительнсоти. При воздействии на мембрану 2 давления, тензоре...

 Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при конструировании и изготовлении полупроводниковых чувствительных элементов датчиков и микроприборов. Целью изобретения является повышение точности и прочности чувствительных элементов. Окна для травления профиля в маскирующем слое на пластинах формируют с размерами, отвечающими соотношению где ak размер вх...

 Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к устройствам для соединения полупроводников с диэлектриками. Целью изобретения является повышение производительности. Устройство состоит из основания 1 со стойками 2 верхней плиты, образованной верхней кассетой 4 с грузами 5 и крышкой 6. Отличие заключается в том, что устройство дополнительно снабжено кассетой 3 в виде плиты...

 Изобретение относится к измерительной технике, а именно к датчикам давления и способам его изготовления. Целью изобретения является уменьшение габаритов и повышение технологичности. Датчик давления содержит полупроводниковый кристалл 1 с мембраной 8 и диффузионными тензорезисторами 3. На периферии кристалла 1 расположены контактные площадки 5 и 6, соединенные коммутационными участками 4 с...

 Изобретение может быть использовано в производстве микропленочных и полупроводниковых приборов при выполнении межэлементных и выводных соединений. Способ состоит в том, что при сварке плоского проводника 1 с металлической пленкой 2 используют сдвоенный электрод 6, обеспечивающий нагрев привариваемого проводника. Электрод 6 выполнен в виде двух частей, собранных с зазором 7, заполненным ди...

 Использование: изобретение относится к датчикам, предназначенным для измерения давления в различных средах. Цель: повышение чувствительности и расширение области применения датчика. Сущность изобретения: датчик давления содержит первую мембрану с жестким центром и периферийным основанием, жестко соединенными жестким центром и периферийным основанием второй мембраны, пластину, размещенную...

 Использование: изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления жидких и газообразных сред. Цель: уменьшение температурной погрешности за счет компенсации термических измерений геометрических размеров, элементов конструкции и изменения модуля упругости мембраны от температуры. Сущность изобретения: датчик давления содержит вакуумированный корп...

 Использование: датчик относится к измерительной технике и может быть использован для измерения давления различных сред. Цель: повышение технологичности, чувствительности и расширение области применения. Сущность изобретения: в емкостном датчике давления, содержащем корпус, упругий элемент в виде мембраны с жестким центром и с установленной на поверхности упругого элемента диэлектрической...

 Использование: датчик относится к измерительной технике и может быть использован для измерения статико - динамических давлений. Изобретение направлено на создание возможности измерения избыточного давления или разности давлений. Сущность изобретения: емкостный датчик давления содержит основной упругий элемент в виде мембраны, электроды, размещенные в центральной части основного упругого э...

 Использование: датчик относится к измерительной технике и может быть использован для измерения избыточного давления и разности давлений. Изобретение направлено на повышение чувствительности и технологичности. Сущность изобретения: емкостный датчик давления содержит корпус, манометрический чувствительный элемент, состоящий из сильфонов с общим дном, емкостный преобразователь деформаций в в...

 Использование: датчик может быть использован для измерения статико - динамических давлений. Сущность изобретения: емкостный датчик давления содержит основную мембрану с опорным основанием, электроды, размещенные в центральной части мембраны, и на ее опорном основании, расположенную с зазором и герметично соединенную по периферии с мембраной дополнительную мембрану с жестким центром и опор...

 Использование: изобретение относится к тензорезисторным датчикам давления и может быть использовано при измерении давлений в условиях воздействия на датчик термоудара. Сущность изобретения: в датчике давления, содержащем вакуумированный корпус 1 и колпачковый упругий элемент 2, на торце которого расположены двухслойный диэлектрик 3 и тензорезисторы, толщина h цилиндрической части колпачко...

 Использование: изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения давления с токовой регистрацией выходного сигнала. Сущность изобретения: с целью повышения точности измерения за счет коррекции погрешности от нелинейности и температурной погрешности датчика, в схему обработки сигнала тензорезисторного датчика давления 3, включающую два операционных усили...

 Использование: изобретение относится к измерительной технике, в частности к емкостным датчикам давления, и может быть использовано при измерении давления в условиях воздействия повышенных температур. Сущность изобретения: с целью повышения точности, надежности и ресурса, в датчике давления, содержащем корпус 1, мембрану 2 с жестким центром 3, периферийным основанием 4 и проточкой между ни...

  Использование: изобретение относится к тензорезисторным датчикам давления и может быть использовано для измерения давления в условиях воздействия повышенных виброускорений. Сущность изобретения: в тензорезисторном датчике давления дополнительные контактные площадки 5 расположены на периферии чувствительного элемента - мембраны 2 под контактами 7 колодки 6, а плоские выводные проводники 8...

  Использование: в измерительной технике для измерения давлений в условиях воздействия термоудара на датчик давления. Сущность изобретения: в тензорезистивном датчике давления с упругим элементом 2 в виде колпачковой мембраны, снабженной снаружи слоями диэлектрика 5 с тензорезисторами 4, а изнутри - теплоизолирующим покрытием, толщина теплоизолирующего покрытия выбрана из определенного соо...

  Использование: изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при проектировании и изготовлении тензорезисторных датчиков при повышении технологичности термокомпенсации. Сущность изобретения: измеряют начальные выходные сигналы датчика при двух значениях рабочего диапазона температур, включают термочувствительный резистор в одно из плеч мостовой схемы, герметизир...

  Использование: в измерительной технике, в частности в тензорезисторных датчиках давлениях в условиях воздействия на датчик термоудара. Сущность изобретения: для повышения точности измерений датчик давления содержит корпус 1, колпачковый упругий элемент 2, покрытый двухслойным диэлектриком 3, и расположенную на диэлектрике тензорезисторную схему 4. Кроме того, имеется дополнительная пленк...

  Изобретение относится к тензорезисторным датчикам давления и может быть использовано при измерении давления в условиях воздействия на датчик нестационарной температуры измеряемой среды. Сущность изобретения: в датчике давления, содержащем мембрану с изоляционным слоем 2, на котором расположены четыре тензорезистора и два компенсационных резистора 9 и 15, последние расположены в зоне пром...

  Использование: в измерительной технике, в частности в датчиках давления в условиях воздействия на датчик нестационарных температур. Сущность изобретения: для повышения точности измерений датчик давления содержит корпус 1, упругий элемент 2 в виде жесткозащемленной мембраны с диэлектриком 3 и тензорезисторами на одной стороне и теплоизолирующей пленкой 7 на другой стороне. Последняя выпол...

  Использование: при изготовлении датчиков давления, работающих в условиях воздействия агрессивных сред и нестационарных температур измереной среды. Цель - повышение точности измерения и воспроизводимости точностных характеристик датчика давления. Сущность изобретения: в датчике, содержащем колпачковую мембрану 2, последняя снабжена установленной на ней дополнительной мембраной 3, при этом...

  Использование: для измерения давлений в условиях воздействия на датчик нестационарных температур в широком диапазоне. Сущность изобретения: для расширения температурного диапазона измеряемых давлений и увеличения выходного сигнала в тензорезистивном датчике давления, содержащем упругий элемент 2, металлическую мембрану, покрытую слоем диэлектрика 3, и расположенные на нем тензорезисторы...

  Использование: для измерения давления в условиях воздействия на тензорезисторный датчик давления повышенных нестационарных температур агрессивных измеряемых сред. Сущность изобретения: для повышения стойкости к воздействию измеряемой среды и стабильности метрологических характеристик в датчике давления дополнительная пленка 7 с коэффициентом теплопроводности, меньшим чем у мембраны, расп...