РЮМШИН В.М.
Изобретатель РЮМШИН В.М. является автором следующих патентов:

Раствор для активации полупроводниковых структур
РАСТВОР ДЛЯ АКТИВАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР перед металлизацией, содержащий ионы золота, кислоту и воду деионизованную, отличающийся , тем, что,.,с целью ограничения интенсивности растворения поверхностного рельефа полупроводниковой структуры и S обеспечения длительной стабильности свойств, в него введены карбоновая или неорганические кислоты с рН 1-6, инертные к полупроводни...
708877