САРКИСЯН ВАХТАНГ АКОПОВИЧ
Изобретатель САРКИСЯН ВАХТАНГ АКОПОВИЧ является автором следующих патентов:

Способ настройки кристаллов на ядерные дифракционные максимумы
В. Г. Лабушкин и В. A. Саркисян (72) Авторы изобретения (7I) Заявитель (54) СПОСОБ НАСТРОЙКИ КРИСТАЛЛОВ НА ЯДЕРНЫЕ ДИФРАКЦИОННЫЕ МАКС ИМ УМ э1 Изобретение относится к области исследования кристаллов с помощью излученияя. Методы мессбауэровской дифракции по зволяют получать информацию о взаимодействии гамма-излучения с веществом, 5 При реализации этих методов исследуемый кр...
714254
Способ определения дифракционного поляризационного отношения
Изобретение относится.к коротковолновой дифрактометрии (рентгенографии, мессбауэрографии) и может быть использовано для неразрушающего контроля степени совершенства кристаллов. Цель изобретения - упрощение определения дифракционного поляризационного отношения . Мессбауэровское излучение пропускают через резонансный фильтр-поляризатор , что позволяет проводить непосредственные изм...
1679321