Костенко В.Л.

 СВЧ-прибор на основе арсенида галлия, снабженный двумя электродами с омическими контактами и параллельно им расположенными двумя электродами с барьером Шоттки, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, параллельно электродам с барьером Шоттки вне области распространения бегущей волны выполнены управляющие электроды, расположенные симметрично относительно вертикальной оси пр...

 СВЧ-прибор на основе арсенида галлия, снабженный двумя электродами с омическими контактами и параллельно им расположенными двумя электродами с барьерами Шоттки и двумя управляющими электродами, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, управляющие электроды расположены над областью распространения бегущей волны симметрично относительно горизонтальной оси прибо...

 1. Полупроводниковый диод, содержащий корпус с расположенной на его основании полупроводниковой пластиной с плоскостным p-n переходом и контактной площадкой, к которой прижат S-образный пружинный вывод, соединенный с изолированно укрепленным в корпусе внешним выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения срока службы и расширения функциональных возможностей со стороны контактной площа...

 ФОТОТРАНЗИСТОР на основе МДП - структуры, содержащий полупроводниковую подложку, одна из поверхностей которой является чувствительной к излучению, с областями стока, истока и канала, на которой сформирован слой диэлектрика и электрод затвора, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей, поверхность подложки, свободная от диэлектрика, является чувствительной к изл...

 Туннельный диод, содержащий области p- и n-типа, образующие p - n-переход, сформированный в эпитаксиальном n-слое, нанесенном на полупроводниковую подложку и омические контакты к p- и n-областям, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей диода, со стороны подложки до базовой области выполнен паз, причем в пазе, а также на эпитаксиальном слое между омическими ко...

 Диод Шоттки, содержащий эпитаксиальный слой полупроводника, расположенный на полуизолирующей подложке, сформированные к эпитаксиальному слою контакт с барьером Шоттки и омический контакт, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия и снижения величины, рассеиваемой мощности, он дополнительно содержит управляющий электрод и диэлектрическую пленку, при этом в подложке под контак...

 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку, на которой расположена планарная транзисторная структура с чередующимся типом проводимости, включающая области эмиттера, базы и коллектора, причем область коллектора содержит приповерхностную высоколегированную зону, отличающийся тем, что, с целью обеспечения регулирования коэффициента усиления и расширения функциональных возмо...

 P-i-n-ДИОД, содержащий сильнолегированные p+ и n+-области и омические контакты к ним, сформированные в приповерхностной области с одной стороны высокоомного кристалла полупроводника, отличающийся тем, что, с целью снижения величины напряжения смещения и расширения функциональных возможностей, дополнительно сформированы два изолированных полевых электрода, один из которых расположен между...

 ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА в корпусе с контактными площадками, имеющими внутреннюю полость, содержащая пассивные и активные элементы, выполненные в кристалле полупроводника, отличающаяся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и упрощения системы отключения микросхемы при перегреве, кристалл полупроводника расположен между контактными площадками корпуса и С-образной металлич...

 Изобретение относится к оптоэлектронике, в частности к монолитным оптоэлектронным приборам, и может быть использовано в вычислительной технике, устройствах автоматики, системах оптической связи. Цель изобретения - расширение функциональных возможностей оптрона. Оптоэлектронный прибор содержит излучающий и фотопреобразующий р-n-переходы, оптическую среду между ними и омические контакты к р...