Фареник В.И.
Изобретатель Фареник В.И. является автором следующих патентов:
Способ разделения по массам смесей изотопов, элементов и соединений, находящихся в плазменном состоянии
СПОСОБ РАЗДЕЛЕНИЯ ПО МАССАМ СМЕСЕЙ ИЗОТОПОВ, ЭЛЕМЕНТОВ И СОЕДИНЕНИЙ, НАХОДЯЩИХСЯ В ПЛАЗМЕННОМ СОСТОЯНИИ, включающий воздействие на них скрепленными электрическим и магнитным полями осесимметричной конфигурации в условиях замагниченности ионов, отличающийся тем, что, с целью снижения энергозатрат на разделение путем избирательного воздействия на выделяемый компонент смеси, напряженности эл...
714997Источник ионов
(19)RU(11)1144548(13)C(51) МПК 6 H01J27/04Статус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: учтена за 1 год с 29.06.1993 по 28.06.1994(54) ИСТОЧНИК ИОНОВ Изобретение относится к устройствам для получения ионных пучков и может быть использовано для получения тонких пленок различных материалов, для ионного и ионно-химического травления и очистки...
1144548Высокочастотный источник ионов
Изобретение относится к области получения пучков ионов и может быть использовано для обработки материалов в вакууме при производстве изделий микроэлектроники. Целью изобретения является повышение экономичности источника путем уменьшения потерь ионов, вносимых электродами-сетками ионно-оптической системы (ИОС), повышение стабильности параметров, срока службы источника и чистоты обработки...
1570549Устройство для плазмохимического травления материалов
Изобретение относится к вакуумно-плазменной технологии и может быть использовано для сухого травления металлических, полупроводниковых и диэлектрических материалов и пленок в вакууме, в частности при производстве полупроводниковых и изделий микроэлектроники. Целью изобретения является увеличение скорости травления и повышение качества обработки путем уменьшения загрязнения поверхности обр...
1573896Способ обработки поверхностей диэлектрических мишеней в вакууме
Изобретение относится к обработке поверхностей изделий и может быть использовано в микроэлектронике. Целью изобретения является повышение качества обработки за счет улучшения однородности обработки и снижения вносимой дефектности. Сущность предлагаемого способа обработки диэлектрических мишеней состоит в том, что поверхности мишеней бомбардируют пучком положительных ионов, на эмиттирующу...
1580852