PatentDB.ru — поиск по патентным документам

СКУПОВ ВЛАДИМИР ДМИТРИЕВИЧ

Изобретатель СКУПОВ ВЛАДИМИР ДМИТРИЕВИЧ является автором следующих патентов:

Трехкристальный рентгеновский спектрометр

Трехкристальный рентгеновский спектрометр

  С:ол Союз Советских Со@ивпистических Республик ОП ИС ЙЗОБР (Ill 71 8769 (61) Дополнительное (22) Заявлено 19.12, (51) М. Кд. G 01 М 23/207 с присоединением зая Гасударственный камитат (23) Приоритет Опубликовано 2 Дата опубликов СССР по делам нэабретеикй н открытий (53) УДК548.73: :535 853 4:621. 38б (088.8) (72) Автор изобретения В. Д. Супов (71) Заявитель Горьковский...

718769

Устройство для исследования структуры монокристаллов

Устройство для исследования структуры монокристаллов

  - "к Ф з. в, ос ки н. л и н.;.л „ те т,.т iii779866 Союз Советскими Соцмалмстмческмк Республик ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6() Дополнительное к авт. свил-ву— (22) Заявлено 20. 12.78 (2I ) 2699310/18-25 с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет Опубликовано 15.11.80. Бюллетень № 42 (51)М. Кл. С 01 N 23/207 Государстеиииый комитет до делам изобретений и открыти...

779866

Рентгеновский спектрометр

Рентгеновский спектрометр

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Ссюз Советсних Ссциапистических Республик 857816 ф r г (61) Дополнительное к авт. сеид-ву— (22) Заявлено 2211.79 (21) 2842524/18-25 с присоединением заявки HP— (231 Приоритетв Опубликовано 2308813юялетень М 31 Дата опубликования описания 2З0881 (з )м. к,. Государственный комитет СССР но делам изобретений н открытий G 01...

857816

Рентгеновский спектрометр

Рентгеновский спектрометр

  ). Автоф изобретения В. Д. Скупов Горьковский исследовательский физико-т хнияескийпри Горьковском государственном университете им. Н.И. лобачевского / инстйтут -- .) (71) Заявитель (54) РЕНТГЕНОВСКИЙ СПЕКТРОИЕТР Изобретение относится к исследованию химических и физических свойств веществ, в частности с по- мощью дифракции и может быть использовано для исследования структуры к...

873067

Способ определения ориентировки кристаллов

Способ определения ориентировки кристаллов

  (72) Автор изобретенмя В. Д. Скупов Горьковский исследовательский физико-технический институт (7!) Заявитель при Горьковском государственном университете им. Н.И. Лобачевского (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОРИЕНТИРОВКИ КРИСТАЛЛОВ Цель изобретения — повышение точности измерения угла среза за счет исключения ошибок установки кристалла в кристаллодержателе..Изобретение относится к ис...

873068


Рентгеновский спектрометр

Рентгеновский спектрометр

  ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 920480 Союз Советскик Социапистическик Республик (61) Дополнмтельное к авт. свмд-ву (22}Заявлено 22.09 80 (21) 2984586/18-25 с присоелнненмем заявки М (51) м. кл. G 01 N 23/207 Ьсудерстееннмй комитет СССР оо делам нзееретеннй и открыткй (23) Приоритет Опублмковано 15.04 82 ° Бюллетень .% 1" (53) УДК 548.73 (o88.8) Дата опубл...

920480

Способ обработки твердых материалов

Способ обработки твердых материалов

  союз соеетСних социАлистичесних РЕСПжЛИН (191 (И) (51)4 2 В 1/00 В 24 В 7 04 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР по делАм изОБРетениЙ и отнРытий fОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Ьл. H АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ \ (61) 931387 (2l) 3887007/25-08 (22) 07.02.85 .(46) 15-.09.86. Бюл. В 34 (72) В. А. Перевощиков, В. Д. Скупов и В. Ф. Коптелов (53) 621 923 5{088.8) (56) Авторское свидетельство СССР...

1256928

Способ резки монокристаллических слитков полупроводников на пластины

Способ резки монокристаллических слитков полупроводников на пластины

  Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к способам резки монокристаллических слитков полупроводников на пластины. Цель изобретения - увеличение выхода годного. Сущность способа состоит в том, что перед ориентировкой слитка относительно оправки торцовую поверхность его механически и химически полируют, проводят избирательное травление обработанной поверхнос...

1622141

Способ определения толщины нарушенного слоя кристаллов

Способ определения толщины нарушенного слоя кристаллов

  Изобретение относится к испытательной технике, в частности к способам определения толщины нарушенного слоя кристалла. Целью изобретения является повышение точности. Поставленная цель достигается за. счет того, что при послойнрм стравливании поверхности слоев кристалла , сопровождающимся внедрением индентора при постоянной нагрузке и времени выдержки под нагрузкой дополнительно вн...

1702242