PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ПОДШИВАЛОВ ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ

Изобретатель ПОДШИВАЛОВ ВЛАДИМИР НИКОЛАЕВИЧ является автором следующих патентов:

Способ измерения диэлектрической проницаемости текучих сред

Способ измерения диэлектрической проницаемости текучих сред

  i 11 7! 8772 О П И-С--А 3f" Союз Советских Социалистических Республик ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 14.09.78 (21) 2667441/18-09 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 28.02.80. Бюллетень № 8 (45) Дата опубликования описания 28.02.80 (51) М. Кл. б 01N 23/24 Государственный ломите г (53) УДК 621.317.33...

718772

Способ измерения показателя поглощения текучих сред

Способ измерения показателя поглощения текучих сред

  СПОСОБ HBNEPEHHH ПОКАЗАТЕЛЯ ПОГЛОЩЕНИЯ ТЕКУЧИХ СРЕД, включающий пропускание электромагнитной волны через слой исследуемой текучей среды, модуляцию этой электромагнитной волны по амплитуде путем периодического изменения толщины слоя исследуемой среды и определение показателя поглощения текучей среды, отличающийся тем, что, с целью расширения возможных областей применения и пошлшен...

1099258

Приемник электромагнитного излучения

Приемник электромагнитного излучения

  Изобретение относится к области электроники , в частности к области криоэлектроники, и может быть использовано для ввода информации в крио-ЭВМ. Целью изобретения является упрощение конструкции приемника электромагнитного излучения, повышение помехоустойчивости при использовании его в криоЭВМ за счет получеИзобретение относится к электротехнике , а более конкретно к области криоэл...

1758713

Способ определения электрофизических параметров полупроводников

Способ определения электрофизических параметров полупроводников

  Образец полупроводника облучают электромагнитным излучением с энергией квантов, достаточной для генерации свободных носителей заряда и модулированным по интенсивности с частотой, равной обратной величине ожидаемого времени жизни свободных носителей заряда. Электромагнитное излучение локализуют на контролируемом участке поверхности образца. Образец помещают в область пространства,...

1805512