СТОЛИЧНОВ А.А.

  СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕН^ МДП ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий последовательное создание на исходной полупроводниковой пластине слоя ди-.электрика и проводящего слоя, преимущественно слоя поликристаллического кремния, вскрытие в последнем окон путем фотолитографического травления и формирование в полупро- ВОДНИКО1ЮЙ пластине разнолегированных областей путем ионного-легирования соответствующ...