ВИЛЬЯМ КОФФИН ХОЛТОН

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ Сеюз Советскиа Сециалкстическик Республик , ми интегральными схемами при осуще ст влении на к ки лазера через подложку. Цель достигается тем, что в пред лагаемом лазере на подложку нанесен изолирующий слой с отверстием, в ко тором размещена гетеромезаструктура из полупроводникового материала., на поверхности которой нанесен актив— ный элемен...