СТАФЕЕВ В.И.

  Применение магнитодиода в ка- СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИК (!9) !!!) А (5!)4 G 01 Т 3 00 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСИОМУ,СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 2679899/18-25 (22) 30. 10. 78 (46) 23. 11. 87. Бюл. Ф 43 (71) Казахский политехнический институт им. В.И.Ленина (72) И.А.Карапатницкий, Э.H.Каракушан и В.И.Ста...

  ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Х АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 11.1278 (21) 2694599/18-25 с присоединением заявки М 2729993/18-25 (23) Приоритет Опубликовано 070981. Бюллетень М 33 (51)М. Кл а 01 Г 1/01 Государственный комитет СССР но делам изобретений и открытий (53) УДК 555. 8 (088.8) Дата опубли...

  20 мм инерционность будет определяться временем пробега фронта через кристалл и скажется хуже, чем у модулятора, для которого инерционность ограничена скинэффектом (верхняя частота напряжения примерно 2,5 ГГц, соответственно частота модуляции 5 ГГц). При уменьшении длины L до значений менее 10 мм (при сохранении сопротивления модулятора R=75 Ом) уменьшаются поперечные размеры...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ. СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК. ° . (19) (И) (51)4 Н 01 Ь 31/08 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ABTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ S. Е10 айд" Б 1Бш1 ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР (21) 2911655/1 8-25 (22) 25.04.80 (46) 30.08.89. Бюл . В 32 (72) Л.Н.Неустроев, В.В.Осипов и В.И.Стафеев (53) 621.382 (088.8) (54)(57) 1. ФОТОРЕЗИСТОР, содержащий ч...

  1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОДИОДОВ , включающий операции создания инжектирующего и невыпрямляюi щего контактов на пластине полуизолирующего кремния, измерения электрических параметров, технологической доводки магниточувствительности до максимального значения, разделения пластины на отдельные структуры , сборки и герметизации приборов, отличающийся тем, что, с целью повышения пр...

  Изобретение .-eT быть использовано при проектировании и производстве светоизлучающих полупроводниковых приборов. Целью изобретения яв ляется обеспечение управления интен- CifflHocTbio излучения, пс вышение быстродействия и квантовой эсЬфективности с вето излучающего и ;-:ек; (ионного полу проводникового HjiifOopa. (. ветоизлучяющий пiжe a иoнный п : Лупроводникоп1- Й приббр включ...