БЕЛОВ Н.А.

  1. СПОСОБ ПОЛУ^ШНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР, включающий резку полупроводникового слитка на пластины, подготовку пластин и эпитаксиальное наращивание, отличающийся тем, что, с целью уменьшения дефектности зпитаксиальных слоев, перед эпитаксиальным наращиванием в периферийной области пластин создают зону.обогащенную механическими нарушениями.2.Способ ПОП.1, отличаю...