Буттаев М.С.
Изобретатель Буттаев М.С. является автором следующих патентов:
Способ идентификации граней по крайней мере двух кристаллов соединений aii- bvi и aiii- bv
(19)RU(11)725504(13)C(51) МПК 6 G01N27/416Статус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИДЕНТИФИКАЦИИ ГРАНЕЙ ПО КРАЙНЕЙ МЕРЕ ДВУХ КРИСТАЛЛОВ СОЕДИНЕНИЙ AII- BVI И AIII- BV Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для идентификации граней кристаллов соединений типа AII-BVI или AIII-BV. Известен...
725504
Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений типа aiibvi
Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений типа AIIBVI, включающий вакуумирование рабочей камеры до 110-1 - 110-2 мм рт. ст., продувку водородом, создание давления водорода 90 - 110 мм рт. ст., нагрев зоны источника до 750 - 800oC и зоны подложек до 600 - 620oC, эпитаксиальное наращивание, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров слоев...
766418
Способ получения эпитаксиальных слоев сульфида кадмия из газовой фазы
(19)RU(11)1256608(13)C(51) МПК 6 H01L21/205Статус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ СУЛЬФИДА КАДМИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов и может быть использовано для получения эпитаксиальных слоев сульфида кадмия из газовой фазы. Цель изобретения повыш...
1256608