Мустафаев А.Г.

 Использование: в технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения - повышение коэффициента усиления полупроводниковых приборов, обеспечивающего технологическую воспроизводимость, расширение диапазона работы, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов. Сущность: при формировании полупроводниковых приборов на конечной стадии изгото...

 Изобретение относится к материаловедению полупроводников. Технический результат изобретения заключается в получении высококачественной поверхности полупроводников AI2V1, имеющей высокие электрофизические характеристики. Сущность: используют композицию, содержащую 2 - 20% аморфного аэросила, 3 - 60% кислотного травителя, 20 - 95% воды, при следующих режимах обработки: удельное давление на...

 Использование: в области технологии изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: после формирования полупроводниковых приборов их подвергают обработке магнитными полями в объеме пирамиды в течение не менее 5 ч с последующим стабилизирующим отжигом при температуре 100-250oС в течение 5-50 мин. Техническим результатом изобретения является повышение быстродействия полупрово...

 Использование: в области технологии производства полупроводниковых приборов. Технический результат изобретения: уменьшение плотности дефектов в полупроводниковых приборах, улучшение параметров, повышение надежности и увеличение процента выхода годных приборов, технологичность способа. Сущность изобретения: при формировании полупроводниковых приборов, на любой стадии изготовления, их подве...