Львова Т.В.

 Использование: в технологии полупроводников для пассивации поверхности полупроводников и приборов на их основе, а также для подготовки поверхности для последующего эпитаксиального выращивания GaN. Сущность изобретения: способ включает удаление окислов с поверхности полупроводника и последующую нитридизацию ее в среде, содержащей гидразин N2H4. Новым является то, что удаление окислов и нит...