Мартин КЕРБЕР (DE)

 Использование: при изготовлении запоминающих ячеек. Сущность изобретения: для защитной изоляции на полупроводниковую подложку наносят многослойную структуру (сэндвич) оксид кремния-поликристаллический кремний-оксид кремния. Для легирования областей истока и соединительных дорожек истока наносят маску фоторезиста, которая оставляет свободными области между шинами слов соответствующей пары...

 Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: способ изготовления элементов структур очень малого размера на полупроводниковой подложке предусматривает изготовление многослойной защитной структуры, формирование на ней первого слоя, например поликристаллического кремния, изготовление на нем структуры, осаждение второго слоя, который может селективно травиться относительно первого...