Сушко Б.С.

 Твердотельный экран на основе выполненных в полупроводниковых брусках электролюминесцентных p-n-переходов с контактами, связанных между собой в строчки и столбцы металлическими шинами, отличающийся тем, что, с целью увеличения КОД при одновременном повышении контрастности, бруски расположены друг к другу однотипными областями и между ними расположена металлическая пластина, соединяющая од...

 Способ получения эпитаксиальных структур наращиванием из жидкой фазы путем изотермического смешивания расплавов, содержащих низкоактивный и высоактивный компоненты системы твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью получения структур твердых расплавов с шириной запрещенной зоны, возрастающей к поверхности, подложку предварительно покрывают слоем расплава, содержащего низкоактивный...

 Устройство для жидкостной эпитаксии, включающее камеру для расплава и источника его подпитки, подложкодержатель, установленный на вертикальном валу, и нагреватель, отличающееся тем, что, с целью получения толстых слоев с высокой однородностью свойств и увеличения скорости процесса, подложкодержатель выполнен в виде стакана с плоским дном, внутри которого установлена камера с возможностью...