PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ЯССИЕВИЧ И.Н.

Изобретатель ЯССИЕВИЧ И.Н. является автором следующих патентов:

Способ переключения полупроводникового прибора

Способ переключения полупроводникового прибора

  Ц!., ! б - с -;, пи т» (» ОП ИСАН ИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Союэ Советскими Соцнапнстнческнк Республик (!!>730227 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 301078 (21) 2б 78407/18-25 с присоединением заявки ¹â€” (23) ПриоритетОпубликовано 07.10.82. Бюллетень № 37 (513M.Кп з Н 01 1: 31/16 Государственный комитет СССР ио делам изобретений и открыти...

730227

Способ определения поперечного коэффициента нернста- эттингсгаузена в полупроводниковых кристаллах

Способ определения поперечного коэффициента нернста- эттингсгаузена в полупроводниковых кристаллах

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОПЕРЕЧНОГО КОЭФФИЦЖНТА НЕРНСТА-ЭТТИНГСГАУЗЕНА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛАХ путем создания градиента температуры , отличающийс я тем, что, с целью расширения температурного интервала измерения указанного параметра в область температур 4,2 - , выбирают материал с KoHueHTpaiyieft равновесных носителей тока, удовлетворяющей условию К П7/ 4 el ( IK ne Its охлажда...

860650

Фотоприемник и способ управления его чувствительностью

Фотоприемник и способ управления его чувствительностью

  .. Фотоприемник, включающий p-i-n-структуру на основе GaAs, iобласть которой легирована примесью с энергией активации Е, сравнимой с шириной запрещенной зоны, а толва1на i-области не превышает обратную величину козффиодента поглощения света в примесной области, о т л и ч а .ю щ и и с я тем, что, с целью повышения чувствительности, в спектральном интервале 1-14 мкм при сохранении...

1102438

Способ определения оптической энергии ионизации и типа симметрии глубокого примесного центра в полупроводнике

Способ определения оптической энергии ионизации и типа симметрии глубокого примесного центра в полупроводнике

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ ЭНЕРГИИ ИОНИЗАЦИИ И ТИПА СИММЕТРИИ ГЛУБОКОГО ПРИМЕСНОГО ЦЕНТРА В ПОЛУПРОВОДНИКЕ путем освещения его монохроматическим светом, о т л ичающийся тем, что с целью повышения точности определения параметров глубоких примесных центров в полупроводниках со структурой алмаза, измеряют спектральную зависимость фотопроводимости или коэффициента поглощения в инт...

1114262

Способ определения параметров полупроводников

Способ определения параметров полупроводников

  СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, основанный на разогреве носителей тока светом при охлаждении образца, измерении термомагнитной ЭДС и определении поперечного коэффициента Нернста-Эттингсгаузена , отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа путем обеспечения определения энергии связи носителя заряда на мелком нейтральном центре, уста...

1195856