ФЕДОРЦОВ АЛЕКСАНДР БОРИСОВИЧ

  "и. "Ф"А НСоюз Советских Социалистических Республик О Й И E ИЗОБРЕТЕНИЯ 732775 К АВТОИ:КОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 300578 (21) 2623687/18-10 с присоединением заявки № (23) Приоритет— Опубликовано 0505.80, Бюллетень ¹ 17 Дата опубликования описания 05.05.80 (51)М. Кл.2 С 03 В 7/08 Государственный комитет СССР по делам изобретений и...

  Изобретение относится к контрольноизмерительной технике. Цель изобретения - расширение области применения за счет получения возможности измерения толщины эпитаксиальных слоев, совпадающих по оптическим характеристикам с подложкой. Поставленная цель достигается тем, что через исследуемый образец пропускают зондирующее излучение с энергией квантов, меньшей ширины запрещенной зоны и...

  Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для определения толщины полупроводниковых слоев (прозрачных пленок) в электронной промышленности (в частности, для измерения толщины мембран в тензодатчиках). Кроме того, изобретение может быть использовано в приборостроении и машиностроении: Целью изобретения является повышение производительности измерений.На измеряем...

  Использование: в электрофотометрах для регистрации малых модуляций световых потоков. Сущность изобретения: устройство содержит источник 1 излучения,светоделитель 2 с регулируемым коэффициентом деления и электрическую схему, включающую два фотодиода 3 и 4, оптически связанные со светоделителем 2, регистрирующий прибор 5 и источник 6 питания, причем фотодиоды 3 и 4 подключены после...

  Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для изменения угла падения луча ка образец при неподвижных источнике излучения, образце и приемнике излучения. Цель изобретения - повышение производительности. Устройство содержит неподвижный источник излучения - лазер 1, плоское зеркало 2, установленное С возможностью вращения вокруг оси, Два эллиптических зеркала 3 и...

  Сущность изобретения: полупроводниковый образец одновременно освещают модулированным зондирующим излучением с энергией фотонов, меньшей ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника , и модулированным светом оптического инжектора с энергией фотонов, большей ширины запрещенной зоны исследуемого полупроводника. При этом длину волны зондирующего и инжектирующего излучения выби...