PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ЧАЙКОВСКИЙ Э.Ф.

Изобретатель ЧАЙКОВСКИЙ Э.Ф. является автором следующих патентов:

Дуоплазматрон

Дуоплазматрон

  ДУЦПЛАЗтТРОН, содержащий систему электродов, состоящую из анода , промежуточного э-лектрода, катода и экстрактора, соединенных с основной системой откачки, о т л и ч cf ющ и и с я тем, что, с целью повышения эффективности работы дуоплазматрона за счет исключения перевода твердых веществ в газовые химические соединения, испаритель и заключенный в него катод расположены во внутренн...

735115

Дуоплазматрон

Дуоплазматрон

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СО ЦИАЛ ИСТИЧ ЕСКИХ РЕСПУБЛИК (g и -.-Iil.- о(.; г ь непрерывно тОU!НИ(А его =,åfj(åñòâà (вводимог 1:> и Т Е Л ь, ° с1 -1 ) — л В отли-i !a от всегда применяемогA И Э1-НЫ>< ri ..Т; INf If

993762

Устройство для получения интенсивных ионных пучков

Устройство для получения интенсивных ионных пучков

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ . СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (я)5 H 01 J 3/04 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Я" К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) (21) 3578044/25 (22) 28.01.83 .(46) 07.02,93. Бюл. М 5 (72) З.Ф Чайковский, В.И.Пузиков, А.В.Семенов, Н.С.Харченко и А.И.Сивка (56) Хирный Ю.И., Кочемасова Л.H. Получение пучков ионов водорода молей энерги...

1108943

Источник ионов

Источник ионов

  Изобретение относится к физики заряженных частиц и может быть использовано как источник частиц при легировании и ионной имплантации полупроводников и других материалов. Целью изобретения является увеличение времени непрерывной работы и повышение надежности. Источник ионов содержит анод в виде цилиндра с проточенной полостью для водяного охлаждения . В отверстие, расположенное в ц...

1356874