СМОЛЯНСКИЙ В.А.

  ТРАНЗИСТОР с эпитаксиальным коллектором, базой, эпитаксиальной эмиттерной областью с концентрацией легирующей примеси менее концентрации легиру ощей примеси в базе, причем в эмиттерной области расположена высоколегированная область того же типа проводимости и кольцеваяi область противоположного типа проводимости , соприкасающаяся с базовой областью, отличающийся тем, что, сцелью...

  Полупроводниковый прибор,, содержащий коллектор, в котором расположена по крайней мере одна приконтактная область с повышенной концентрацией легирующей примеси, базой, эпитаксиальным эмиттером с областями повьппенной концентрации легирующей примеси, вокруг которых расположены области противоположного типа проводимости , часть которых .снабжена электродным, выводом, отличающийся т...