Кочнева М.А.
Изобретатель Кочнева М.А. является автором следующих патентов:

Полупроводниковый материал для элементов памяти
(19)SU(11)736810(13)A1(51) МПК 5 H01L45/00(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЭЛЕМЕНТОВ ПАМЯТИ Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности, к полупроводниковым материалам для элементов памяти и может быть использовано в вы...
736810