Черномордик В.Д.

 Использование: в твердотельной электронике. Сущность изобретения: способ включает разложение моносилана в плазме тлеющего разряда с образованием продуктов реакции и осаждение из них пленки в плазме тлеющего разряда на подложку. Новым является то, что при разложении и осаждении используют плазму тлеющего разряда с частотой 45-65 кГц. Техническим результатом изобретения является повышение с...