Будагян Б.Г.

 Использование: технология полупроводниковых приборов на основе тонких пленок аморфного кремния. Сущность изобретения: способ получения тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния включает осаждение пленки на нагретую подложку путем разложения газовой смеси, содержащей моносилан, водород и газообразный аммиак, в высокочастотной плазме тлеющего разряда, количество аммиака в смеси 1...

 Использование: в качестве приемника излучения с избирательной чувствительностью в ИК-области при создании фоточувствительных устройств. Сущность изобретения: датчик содержит монокристаллическую кремниевую подложку p-типа проводимости с удельным сопротивлением более 20 Ом см, сформированный на ней слой из аморфного кремния n-типа проводимости толщиной от 1,6 до 2,0 мкм и омические контакты...

 Использование: в твердотельной электронике. Сущность изобретения: способ включает разложение моносилана в плазме тлеющего разряда с образованием продуктов реакции и осаждение из них пленки в плазме тлеющего разряда на подложку. Новым является то, что при разложении и осаждении используют плазму тлеющего разряда с частотой 45-65 кГц. Техническим результатом изобретения является повышение с...