PatentDB.ru — поиск по патентным документам

ШИЛАЛЬНИКАС ВИТАУТАС ИОНОВИЧ

Изобретатель ШИЛАЛЬНИКАС ВИТАУТАС ИОНОВИЧ является автором следующих патентов:

Способ измерения характеристик мдп-структур и устройство для его реализации

Способ измерения характеристик мдп-структур и устройство для его реализации

  О П Е ИЗОБРЕТЕНИЯ »щ,Я ЯЦД (6 l ) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 280377 (21) 2467214/18-25 С 01 и 31/26 с присоединением заявки М 2 475868/18-25 (23) Приоритет Опубликовано 3005.80. Бюллетень т»о 20 Дата опубликования описания 3005.80 Государственный комитет СССР f10 делам изобретений и открытий (53) УДК 621. 382 (088.8) (72) Авторы изобретения В.И.Милальникас,...

737890

Способ измерения индукции переменного магнитного поля и устройство для его осуществления

Способ измерения индукции переменного магнитного поля и устройство для его осуществления

  1. Способ измерения индукции переменного магнитного поля, заключающийся в воздействии измеряемого магнитного поля на магнитометрический преобразователь, через который пропускается постоянный ток, выделений переменной составляющей выходногр сигнала.преобразователя и измерении ее, отличающнйс я тем, что, с целью расширения диапазона измерений, выделенная переменная составляющая вых...

1061079

Гальваномагниторекомбинационный элемент

Гальваномагниторекомбинационный элемент

  ГАЛЬВАНОМАГНИТОРЕКОМБИНАЦИОННЫЙ ЭЛЕМЕНТ,.выполненный в виде полупроводниковой пластины с омическими контактами на торцах и об , ластью повышенной скорости поверхностной рекомбинации носителей тока на одной из граней, отличающийся тем, что, с целью расширения температурного.диапазона измерений в сторону высоких температур , на грани с малой скоростью поверхностной рекомбинации нан...

1148064

Устройство для измерения индукции магнитного поля

Устройство для измерения индукции магнитного поля

  Изобретение относится к магнитным измерениям и может быть использовано для измерения величины индукции магнитного поля. Цель изобретения - повышение точности измерения индукции магнитного поля - достигается путем компенсации температурной погрешности магниторезисторов. Устройство содержит полевой магниторезистор 1 со структурой МДПДМ с токовыми электродами 2 и 3, и с полевыми элек...

1559322