ПАШКУДЕНКО ВАЛЕРИЙ ПЕТРОВИЧ

  е вал тЬ OH не . %, М ни ч „»„ лиi тайм gg Союз Советских Социалистические ,Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6l ) Дополнительное к BBT. свид-ву(22) Заявлено 14.12.77 (21)2555694/18-25 (51)M; Кл. G01К21 46 с присоединением заявки ¹ Государственный комитет СССР (23) П риоритет— Опубликовано 05,06.80, Бюллетень ¹ 21. Дата опубликования описания 09.06,80 (53) УДК 535.32...

  изобретения И. Чи (7! ) Заявитель (54} ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ Причина этого заключается в том, что в качестве термочувствительного элемента используется лишь канал. полевого транзистора, действующий в качестве терморезистора, а уси" лительные свойства полевого транзистора не используются. Цель изобретения - повышение чувст вительности датчика температуры. Поставленная цель дости...

  В. П. Пашкудвнко, В. д. Прохоров, 5f./ф фархад,". :,.О A. П. Моисеенко и М. П. Банду а " ::::, ."""" -" / (72) Авторы изобретения (71) Заявитель 54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЛЩИНЫ ОПТИЧЕСКИ ПРОЗРАЧНЫХ СЛОЕВ Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть использовано, в частности„ при определении параметров и исследовании свойств слоевлолупроводников и диэ...

  УСТРОЙСТВОДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВОЛЬТ-ФАРАДНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК, содержащее генератор, первый выход которого включен в первичную обмотку трансформаторного моста переменного тока, вторичная обмотка которого составляет два плеча моста, в два других плеча которого соответственно включены обраэцогалй резистор и конденсатор с клеммами для подключений испытуемого прибора, к одной клемме дпя подкл...

  Изобретение относится к контрольноизмерительной технике и может быть использовано для измерения толщины пленок и слоев. Цель изобретения - повышение точности и диапазона измерений достигается использованием рассеянного когерентного света для облучения измеряемой пленки. Измеряемую пленку облучают когерентным рассеянным светом. Перемещая интерференционную головку микроинтерферомет...

  Изобретение относится к контактной термометрии, может быть использовано преимущественно в медицине и позволяет снизить инерционность датчика и повысить его надежность. Датчик содержит тепловоспринимающий узел 1, закрепленный на торце герметичного полого корпуса и выполненный в виде монолитной кремниевой мембраны, с внутренней стороны которой сформировано кольцевое углубление, конт...

  Изобретение относится к выращиванию пленок кремния, может быть использовано в электронной технике для производства полупроводниковых интегральных схем или чувствительных элементовтензопреобразователей на базе структур кремний на диэлектрике и позволяет повысить выход годных пленок за счет устранения пирамид роста на подложке. Пластину кристаллического кремния окисляют, затем в ок...