РОТМАН С.З.

  ИНТЕГРАЛЬНАЯ СТРУКТУРА, выполненная на полупроводниковой подложке , содержащая полевой транзистор с верхним и нижним затворами и биполярный р-п-р транзистор, изолированные друг от друга р-п переходом,. причем канал полевого и база р-п-р транзисторов имеют равномерное рас .пределение примеси противоположного подложке типа проводимости, верхний затвор полевого и эмиттер р-п-р-тран...