КАЛИНОВ ВЛАДИМИР СЕРГЕЕВИЧ

  Союз Советских Социапистическик Республик

  Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых интеградьных микросхем с помощью фотолитографии. Целью является повышение разрешающей способности и качества фотошаблона, упрощение способа. Способ изготовления шаблона заключается в том, чГо на пТЬ д/Шжку наносят слой фторида лития, проводят его с рование электрон н ымг1Учк6м7 причём режим сканирования и энергия э...