Глущенко В.Н.

  № 145996 Класс 31с, 18в cccv ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1!одпасная группа Л0 144 В, Н. Глущенко, М, П. Богинский, Б. И. Гайдаш, С. И, Ивахин и А, Е. Шъейнбах УСТРОЙСТВО ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОГО ФОРМОВАНИЯ СТЕРЖНЕВЫХ ИЗОЛЯТОРОВ Заявлено 15 декабря 1960 г. за № 689705/25 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Опубликовано в «Б...

 Способ изготовления кремниевого планарного прибора, предусматривающий проведение локальной диффузии в кремний с формированием планарного p-n-перехода, образование легированного свинцом диэлектрического слоя на кремниевой пластине и операции по созданию металлического, например алюминиевого, контакта к кремнию, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности защиты p-n-перехода от п...

  совр совктских аещилистичкских вксп вщик 99ф3 ффустВВннОк ИАткнтиОк 35%5cc5% сссР (ГОСНАткит сссР) OIINCAHHE ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 (о) au>mf)o (22) 07.94.75 {46) 30;t193 Вне 5h 43-И P2) Афанасьев ГГ„Глущенко(ВИ; Красноайн АИ. ((1) ж по агбар (51) 1 1 (Я} УСУРОЯСУВО ДЛЯ ДОЗИРОВАНИЯ ПАРОВ ЖИДКОСТИ (57) 522641 Формула изобретения УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДОЗИРОВАНИ...

 (19)SU(11)535771(13)A1(51)  МПК 5    C30B31/06(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 07.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ ПЛАСТИН КРЕМНИЯ Изобретение относится к устройству для термического окисления пластин кремния, которые находят широкое применение в технологии полупроводниковых...

 (19)SU(11)633389(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/04(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ СТАБИЛИЗАЦИИ P-N-ПЕРЕХОДОВ Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при промышленном изготовлении интегральных микросхем и дискретных полупроводниковых прибо...

  (в) SU (и) 668510 А1 (51) 5 Н01LZ1 311 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ {21) 2487423/25 (22) 39.05.77 (46) 30.10.93 Бюл. Ия 39-40 (72) Глущенко В.Н.; Косенко А.Н. (54) СПОСОБ ВСКРЫТИЯ ЛОКАЛЬНЫХ УЧАСТКОВ В ОКИСЛЕННОЙ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ...

  (19) SU (11) 669995 А1 (51) 5 H01L21 22 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ f (21) 2305357/25 (22) 30.12.75 (46) 38.10.93 Бюл йя 39-40 (72) Иванов ВД; Глущенко В.Н.; Толстых БЛ. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЧ-ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР 669995 Изобретение относится к м...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕЙИЯ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЩОМСГВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) x mTOPei 671601 Al (51) 2 (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАНАРНЫХ р - в -ПЕРЕХОДОВ (57) 671601 3 4 Изобретение относится к микроэлект- Поставленная цельдостигается тем,что ронике и предназначено для использования после создания диффузионной области ее при изг...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК "< vN ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ CCCP) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 (21) 2619455/10 (22) 21.03.78 (46) 15.1193 Бюп. % 41-42 P2) Гпущенко В.Н„Красножон 8.И. (в) Я3 (и) 683330 Л1 (51) 5 001 013 (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДОЗИРОВАНИЯ ПА— POS ЖИДКОСТИ {5Л 683330 Изобретение может быть использо...

  I ß!1i СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) . ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 (21) 2599720/25 (22) 03.04.7S (46) ЗОЛОЮ Бюл. Ма 39-40 (72) Глущенко В.Н„Косенко АН. Пэпунин АС„Пло-. хих ВГ. (54) ИСТОЧНИК ДИФФУЗИИ ДЛЯ ОДНОВРЕМЕННОГО ЛЕГИРОВЯНИЯ КРЕМНИЯ БОРОМ И . ЗОЛОТОМ (19) SU (11) 683397 AI (51) 5...

  ((Ill Я ((11 2МИ4 А1 (5Ц 5 H Oi Ь И 02 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУВЛИК ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 2 (23) 2633018/25 (22) 27.0678 (46) 301093 Бюа f4i 39-40 P2) Гиущенио ВН„Краскожон АИ. (54) CAQC05 ИЭГОТ09ЛЕНИЯ МОЩНЫХ ВЧ ТМКМ4СТОРЙЫХ ЮРУКТУР 705924 Изобретение относится к области микроэлектроники, преимущественно к технологии изготовления т...

  СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕНИОЕ ИАТЕИТИОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 (щжюж/гз (Щ {И94.78 (46) 30.10.93 Ьол, йя 39-40 (72} Глущенко 88. (54) УСТРОЙСТВО ДДЯ ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЬ|Х ПЛАСТЙН (19) ЯЦ (11) (51) С 30 1 0 С 0 В 29 06 716178 Изобретенйе относится к области алек- место с более высокой температурой подотронно...

  (ю) Я1 (и) 733135 А1 (51) 5 СЗОВ25 08 I Al l e СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2590684/22 (22) 07.03.78 (46) 30Л093 Бк)л. Na 39-40 (72) Глущенко В.Н„Ковалев B.И„Федорова ТА (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПЛАСТИН В ГАЗОВОЙ ФАЗЕ 733135 Изобретение относит...

  (19) SU (И) 764549 А1 (51) 5 H 01 21 331 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЩОМСТВО СССР (ГОСНАТЕНТ СССР) опислния изоюкткния К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (24) 2466246/25 (22) 2Э.ОЗ.77 (46) 30.1О.Ж Вел, Na Э9-40 (72) Глущенко В.Н„Петров БХ (64) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАЛОШУМЯ- ЩИХ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 764549 Изобретение относится к ми...

  (19) SU (11) 76б416 А1 (51) 5 Н 01 Ь 21 331 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ВЩОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 2745793/25 (22) 26.02.79 (46) 30.10.93 Blon. Йя 39-40 {72) Глущенко В.Н„Борзаков Ю.И. (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЧ И СВЧ КРЕМНИЕВЫХ й-P-N ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР Изобретение от...

  (19) SU (11) 766423 А1 (51) 5 Н 01 ЬИ 265 СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ ) ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ, СВИДЕТЕЛЬСТВУ {21) 2739960/25 {22) 33.03.79 {46) 30.1093 Бюл. Йа 39-40 {72) Бреус Н.В„. Гапьцев В.П„Глущенко В.Н. {54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЧ ТРАНЗИСТОРНЫК СТРУКТУР 766423 Изобретение относ...

  СОЮЗ СОЬЕТСКИХ СОЦШЛИСТИЧЕСМИХ РВСПУВЛЖ ГОСКДМСТВКННОК ШтюктНОК ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯЬФ К:АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1 (21) 342651 f/25 (22) 05.0232 (46) 15,1293. 6en; Ne 45-.45 (72) nyujeeo B.H„Kenwes АИ„Решена ГЗ,

 (19)SU(11)1284415(13)A1(51)  МПК 5    H01L21/331(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ N-P-N ВЧ-ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления кремниевых n-p-n-транзисторов,...

 Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий формирование на полупроводниковой подложке активных областей, пассивацию подложки слоем диэлектрика, вскрытие контактных окон, нанесение слоя алюминия вакуумно-термическим напылением, формирование маскирующего покрытия, фотогравировку разводки, окисление торцовых поверхностей разводки и удаление маскирующего покрытия, отличающийся...

  Изобретение относится к микроэлектронике и может бьгть использовано лри создании больших интегральных схем (БИС) и МДП-транзиаорах с поликре««1иевым затвором. Цель изобретения - ловышен е степени интеграции и быародейавия приборов путем уменьшения длины канала транзистора . Управление длиной канала осуществляется путем использования поликремниевого затвора в качеаве твердого иаоч...

  Изобретекме относится к микроэлектронике и может применяться в технологии изготовления статических и динамических БИС памяти и микропроцессоров на МДП-транзисторах с поликремниевым затвором. Цель - повышение выхода годных и быстродейавия схем На монокремниевой подложке создают полевой окисеа подзатвррный и промеж 70чный диэлектрический спой. Наносят слой поли1фемния и формируют з...

 Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве МДП-транзисторов и интегральных схем на их основе. Целью изобретения является упрощение технологии изготовления, повышение быстродействия МДП-транзисторов и степени интеграции МДП БИС на их основе. С помощью LOKOS процесса создают на монокремниевой подложке полевой окисел. Затем изготавливают подзатв...

 Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения полупроводниковых структур с высокой равномерностью степени легирования диффузионных слоев. Целью изобретения является достижение стабильности источника диффузионного легирования бором в широком диапазоне температур. На пластины нитрида бора наносят слой двуокиси кремния толщиной 0,5 - 1,5 мк...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при промышленном изготовлении полупроводниковых структур, в частности интегральных схем. Цель изобретения - повышение надежности структур путем создания беспористого защитного диэлектрического покрытия. Способ изготовления полупроводниковых структур включает следующие операции: формирование в полупроводниковой подложке обл...

 Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении биполярных приборов и интегральных микросхем на их основе. Цель изобретения - увеличение критического тока коллектора. После формирования низколегированной базовой области одновременно с эмиттерным окном вскрывают окна под контактную базовую область. Данная область формируется одновременно с высоколегирова...