Сигаев А.Л.
Изобретатель Сигаев А.Л. является автором следующих патентов:

Устройство катодного распыления сегнетоэлектриков в вакууме
Устройство катодного распыления сегнетоэлектриков в вакууме, содержащее анод, катодный узел, включающий сегнетоэлектрическую мишень и систему разогрева мишени, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции, система разогрева мишени выполнена в виде металлической пластины, расположенной на сегнетоэлектрической мишени с возможностью углового перемещения. Изобретение относится к техни...
751166