Тимошенков С.П.

  Использование: микроэлектроника, технология изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией. Сущность изобретения: при изготовлении кремниевой структуры с диэлектрической изоляцией элементов проводят двустороннюю механическую обработку исходной монокристаллической и опорной кремниевых пластин, формируют в исходной монокристаллической кремниевой пластине рельеф и скрытый слой...

 Использование: для питания сильноточных наносекундных ускорителей заряженных частиц, мощных импульсных газовых лазеров, генераторов импульсного рентгеновского излучения. Сущность изобретения: генератор импульсов высокого напряжения выполнен по схеме Аркадьева-Маркса и содержит накопительные конденсаторы 1, разрядники 2, нагрузку 3, зарядные ветви из разисторов 4 и 6, цепочку из последоват...

 Изобретение предназначено для обеспечения высокоточного измерения давлений в широком диапазоне температур и давлений. Предлагаемое изобретение заключается в том, что основание датчика выполняется из двух или более частей и имеет специфическую Т-образную форму. Верхняя часть основания полностью идентична с кремниевым чувствительным элементом по конфигурации, размерам и кристаллографической...